[发明专利]超导体-半导体制造在审
| 申请号： | 201780092102.2 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110741486A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | P·克罗格斯拉普·杰普森 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/22;H01L27/18;G06N10/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李峥宇 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种按照阶段制造的混合半导体‑超导体平台。在掩模阶段中，在衬底上形成电介质掩模，以使得电介质掩模将衬底的一个或多个区暴露。在选择性区域生长阶段，在衬底上的一个或多个暴露区中选择性地生长半导体材料。在超导体生长阶段中，形成超导材料层，其至少一部分与选择性生长的半导体材料直接接触。混合半导体‑超导体平台包括选择性生长的半导体材料和与选择性生长的半导体材料直接接触的超导材料。 | ||
| 搜索关键词： | 超导体 半导体材料 选择性生长 衬底 电介质掩模 混合半导体 生长半导体材料 选择性区域生长 超导材料层 超导材料 生长阶段 暴露区 掩模 暴露 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造混合半导体-超导体平台的方法，所述方法包括：/n在掩模阶段，在衬底上形成电介质掩模，以使得所述电介质掩模将所述衬底的一个或多个区暴露；/n在选择性区域生长阶段，在所述衬底上在暴露的所述一个或多个区中选择性地生长半导体材料；以及/n在超导体生长阶段，形成超导材料层，所述超导材料层的至少一部分与选择性生长的所述半导体材料直接接触；/n其中所述混合半导体-超导体平台包括选择性生长的所述半导体材料和与选择性生长的所述半导体材料直接接触的所述超导材料。/n
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