[发明专利]在光学光刻中模拟近场图像有效
| 申请号： | 201780091295.X | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110678961B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李江伟;王育民;刘钧 | 申请（专利权）人： | ASML美国有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于确定用于光学光刻的近场图像的方法和设备，所述方法包括：接收指示光掩模特征的薄掩模图像，其中，在不考虑与光掩模特征相关联的掩模形貌影响的情况下确定薄掩模图像，以及由处理器使用人工神经网络(ANN)由薄掩模图像确定近场图像，其中，ANN使用薄掩模图像作为输入。该设备包括处理器和联接到该处理器的存储器。所述存储器被配置为存储由处理器执行以执行所述方法的指令。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 光刻 模拟 近场 图像 | ||
【主权项】：
1.一种确定用于光刻的近场图像的方法，包括：/n接收指示光掩模特征的薄掩模图像，其中在不考虑与光掩模特征相关联的掩模形貌影响的情况下确定薄掩模图像；以及/n通过处理器使用人工神经网络(ANN)由所述薄掩模图像确定近场图像，其中，所述ANN使用所述薄掩模图像作为输入。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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