[发明专利]在光学光刻中模拟近场图像

权利要求书

1.一种确定用于光刻的近场图像的方法，包括：

接收指示光掩模特征的薄掩模图像，其中在不考虑与光掩模特征相关联的掩模形貌影响的情况下确定薄掩模图像；以及

通过处理器使用人工神经网络(ANN)由所述薄掩模图像确定近场图像，其中，所述ANN使用所述薄掩模图像作为输入。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光掩模特征包括掩模图案、掩模图案的边缘、掩模图案的角和掩模图案的面积中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述ANN确定所述近场图像包括：

通过将所述薄掩模图像加到所述ANN的输出来确定所述近场图像，其中，所述输出指示所述薄掩模图像与所述近场图像之间的差异，并且所述ANN使用由所述薄掩模图像确定的矢量图像作为输入。

4.权利要求1的方法，其中，

所述ANN包括多层感知器(MLP)模型和卷积神经网络(CNN)模型中的至少一个，

用于所述ANN的输入数据包括薄掩模图像中的多个采样点中的一个采样点的图像数据，以及

所述图像数据包括在所述一个采样点处的薄掩模图像的图像强度、以及由薄掩模图像确定的矢量图像的值中的至少一个。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，根据包括同心圆区域采样(CCAS)、同心方形采样(CSS)和均匀采样中的一个的采样方案对薄掩模图像中的所述多个采样点进行采样。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，与所述ANN相关联的参数包括与所述一个采样点相关联的权重，并且基于所述多个采样点中的所述一个采样点与另一个采样点之间的距离确定所述权重。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

确定使用所述ANN确定的近场图像与指示光掩模特征的限定图像之间是否存在匹配，其中，使用严格电磁模拟技术确定所述限定图像；以及

基于确定所述近场图像与所述限定图像之间不匹配，更新与所述ANN相关联的参数。

8.根据权利要求6所述的方法，还包括：

确定与近场图像相关联的成本值是否被最小化；以及

基于确定与近场图像相关联的成本值未被最小化，更新与所述ANN相关联的参数。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述近场图像包括复数值。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述ANN确定近场图像包括：

确定与近场图像相关联的梯度数据，其中，所述梯度数据包括近场图像相对于薄掩模图像的梯度。

11.一种确定用于光刻的近场图像的设备，包括：

处理器；以及

联接到处理器的存储器，所述存储器被配置为存储指令，所述指令在由处理器执行时以便处理器操作，用以：

接收指示光掩模特征的薄掩模图像，其中，在不考虑与光掩模特征相关联的掩模形貌影响的情况下确定薄掩模图像，并且光掩模特征包括掩模图案、掩模图案的边缘、掩模图案的角和掩模图案的面积中的至少一个；以及

使用人工神经网络(ANN)由薄掩模图像确定近场图像，其中，所述ANN包括多层感知器(MLP)模型和卷积神经网络(CNN)模型中的至少一个，并且所述ANN使用薄掩模图像作为输入。

12.根据权利要求11所述的设备，其中，以所述处理器操作以使用所述ANN确定所述近场图像的所述指令还包括指令，以：

通过将薄掩模图像加到所述ANN的输出确定近场图像，其中，所述输出指示薄掩模图像与近场图像之间的差异，所述ANN使用由薄掩模图像确定的矢量图像作为输入，并且所述近场图像包括复数值。