[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201780091174.5 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110663117B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 梁晨;秦旭东;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 颜晶 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供了一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管领域。晶体管包括：衬底(1)、形成于衬底上的石墨烯沟道层(2)、分别位于石墨烯沟道层(2)的两端上的源电极(3)和漏电极(4)、位于源电极(3)和漏电极(4)之间的石墨烯沟道层(2)上的栅介质层(5)和栅电极(6)；衬底(1)具有由两个以上的凹陷部(101)和一个以上的凸起部(102)构成的支撑件，支撑件的至少一个凸起部(102)与石墨烯沟道层(2)接触。通过衬底(1)上的支撑件对石墨烯沟道层(2)形成物理支撑，避免了石墨烯沟道层(2)在无支撑悬空的情况下由于重力等作用而出现的塌陷或者变形，并且减少了衬底(1)与石墨烯沟道层(2)之间的接触面积，减少了衬底(1)对石墨烯沟道层(2)的影响，提升载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯场效应晶体管，包括：衬底(1)、形成于所述衬底(1)上的石墨烯沟道层(2)、分别位于所述石墨烯沟道层(2)的两端上的源电极(3)和漏电极(4)、位于所述源电极(3)和所述漏电极(4)之间的所述石墨烯沟道层(2)上的栅介质层(5)和栅电极(6)；/n其特征在于，所述衬底(1)具有由两个以上的凹陷部(101)和一个以上的凸起部(102)构成的支撑件，所述支撑件的至少一个所述凸起部(102)与所述石墨烯沟道层(2)接触。/n
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