[发明专利]光接收器件、光接收器件制造方法、摄像器件和电子设备在审
| 申请号： | 201780083783.6 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN110226228A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 斋藤卓;藤井宣年 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/144;H01L31/02;H04N5/33;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光接收器件，其包括：多个光电转换层，所述多个光电转换层布置于从平面图看时相互不同的各个区域中并且包括第一光电转换层和第二光电转换层；绝缘膜，其将所述多个光电转换层彼此分开；第一无机半导体材料，其包含于所述第一光电转换层中；以及与所述第一无机半导体材料不同的第二无机半导体材料，其包含于所述第二光电转换层中。 | ||
| 搜索关键词： | 光电转换层 无机半导体材料 光接收器件 彼此分开 电子设备 摄像器件 绝缘膜 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光接收器件，其包括：多个光电转换层，所述多个光电转换层布置于从平面图看时相互不同的各个区域中并且包括第一光电转换层和第二光电转换层；绝缘膜，其将所述多个光电转换层彼此分开；第一无机半导体材料，其包含于所述第一光电转换层中；以及与所述第一无机半导体材料不同的第二无机半导体材料，其包含于所述第二光电转换层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
