[发明专利]用于清洁基材局部区域的装置和方法有效
申请号: | 201780082382.9 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN110291460B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 大卫·达堤洛;伍威·戴兹;马丁·萨玛约亚 | 申请(专利权)人: | 休斯微科光罩仪器股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82;G03F1/64;B08B1/00 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何冲;黄隶凡 |
地址: | 德国斯特内弗*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于清洁基材(尤其是光掩模)的局部区域的装置及方法。装置具有:清洁头,具有在待清洁的基材区域上方且紧密接近于其而配置的下部表面,下部表面具有在其中形成的中心开口、包围中心开口的第一环形凹槽及配置于第一环形凹槽与中心开口之间的至少一第二凹槽,第一环形凹槽以流体方式连接至允许连接至外部供应源的第一端口,第二环形凹槽以流体方式连接至允许连接至外部供应源的第二端口;供带机构,向清洁头的下部表面中的中心开口供应研磨带,使得研磨带的一部分自中心开口突出;液体介质管道,具有在中心开口处或附近处向研磨带的背侧供应液体的出口。 | ||
搜索关键词: | 用于 清洁 基材 局部 区域 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于清洁基材,尤其是光掩模,的局部区域的装置,包括:清洁头,具有经设置以在待清洁的基材区域上方且紧密接近于其而配置的下部表面,所述下部表面具有在其中形成的中心开口、包围所述中心开口的环形的第一凹槽以及配置于环形的所述第一凹槽与所述中心开口之间的至少一第二凹槽,环形的所述第一凹槽以流体方式连接至允许连接至外部供应源的第一端口,且所述第二环形凹槽以流体方式连接至允许连接至外部供应源的第二端口;供带机构,经配置以向所述清洁头的所述下部表面中的所述中心开口供应研磨带,使得所述研磨带的一部分自所述中心开口突出;以及液体介质管道,具有经配置以在所述中心开口处或在所述中心开口的附近处向所述研磨带的背侧供应液体的出口。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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