[发明专利]形成具有经改善的电阻率控制的单晶硅晶锭的方法有效
| 申请号： | 201780080972.8 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN110382748B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | P·达葛卢;E·吉特林;R·斯坦德利;李衡敏;张楠;柳在佑;S·巴萨克;R·J·菲利普斯 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开形成具有经改善的电阻率控制的单晶硅晶锭的方法，并且尤其为涉及镓或铟掺杂的方法。在一些实施例中，所述晶锭的特征在于相对较高的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 改善 电阻率 控制 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于从容纳于坩埚内的硅熔融物生产单晶硅晶锭的方法，所述方法包含：将多晶硅添加到所述坩埚中；加热所述多晶硅以使硅熔融物在所述坩埚中形成；将第一掺杂物添加到所述坩埚中，所述第一掺杂物选自由镓和铟组成的群组；从所述熔融物中提拉样本晶锭；测量所述样本晶锭的电阻率；将第二掺杂物添加到所述硅熔融物中，添加到所述熔融物中的第二掺杂物的量部分基于所述样本晶锭的所测量的电阻率；和从所述熔融物中提拉产品晶锭。
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