[发明专利]大直径碳化硅单晶锭的培养方法有效
| 申请号： | 201780079360.7 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110168147B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 崔正宇;具甲烈;金政圭 | 申请（专利权）人： | 赛尼克公司 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36;C30B29/06;C30B29/36;C30B15/14;C30B15/02;C30B25/08;C30B25/14;C30B25/22;C30B15/32 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，其中碳质保护膜形成于SiC单晶晶种的后侧，所述晶种置于反应容器中不粘附，且之后SiC原材料于晶种前表面培养SiC单晶，因晶种没有粘附于支架上从而防止了加热期间因晶种和支架的膨胀系数差异而引起的翘曲或裂缝，可使晶种培养为具有大直径的单晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 直径 碳化硅 单晶锭 培养 方法 | ||
【主权项】：
1.一种培养碳化硅(SiC)单晶锭的方法，其包括(1)在SiC单晶的晶种后侧形成碳质保护层；(2)将SiC原材料装填到反应容器的下层区域，并将晶种置于反应容器的上层区域且不粘附于其上；和(3)从SiC原材料晶种的前侧培养SiC单晶锭。
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