[发明专利]用于静电吸盘的新式修复方法有效
申请号: | 201780075413.8 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN110036467B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 小温德尔·G·博伊德 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开内容的实施方式涉及整修烧结或等离子体喷涂的静电吸盘的方法。起初,将使用过的静电吸盘主体的一部分移除,以暴露底表面。接着,使用悬浮浆料等离子体喷涂工艺,将新的介电材料层沉积至底表面上。悬浮浆料等离子体喷涂工艺可将纳米尺寸的介电材料的悬浮浆料雾化成为小滴流,并且接着所述小滴流被注入等离子体放射内,以形成部分地熔融的滴。将部分地熔融的滴投射在底表面上,以在底表面上形成介电材料层。随后,选择性地移除新的介电材料层的材料,以形成台面。在清洁后,经整修的静电吸盘已准备好恢复使用。 | ||
搜索关键词: | 用于 静电 吸盘 新式 修复 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于整修静电吸盘的方法,包含以下步骤:移除静电吸盘主体的第一部分,以暴露所述静电吸盘主体的第二部分,其中所述第一部分具有在所述静电吸盘主体的顶表面下方的第一深度,并且所述第二部分具有在所述静电吸盘主体的所述顶表面下方的第二深度;使用悬浮浆料等离子体喷涂工艺(suspension slurry plasma sprayprocess)将介电材料层沉积至所述第二部分上,所述悬浮浆料等离子体喷涂工艺包含:产生等离子体放射;将介电材料的悬浮浆料雾化(atomizing)成为小滴(droplet)流,所述悬浮浆料包含所述介电材料的纳米尺寸的固态颗粒,所述介电材料的所述纳米尺寸的固态颗粒分散至液态或半液态载体物质(carrier substance)内;在不使用载气的情况下,将所述小滴流注入所述等离子体放射内,以形成部分地熔融的滴;和通过将所述部分地熔融的滴投射在所述静电吸盘主体的所述第二部分上,而将介电材料层形成在所述暴露的第二部分上;和选择性地从所述介电材料层移除材料,以建立新的顶表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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