[发明专利]SOI晶圆的制造方法

摘要

本发明提供了一种SOI晶圆的制造方法，包含以下步骤：通过硅氧化膜将同样由硅晶圆构成的接合晶圆及基底晶圆贴合的步骤；以及薄膜化接合晶圆的步骤，而在贴合步骤前，还包含：以亲水性的洗净液洗净两晶圆的步骤；以及通过吸引干燥或旋转干燥将洗净后的两晶圆干燥的步骤，其中，在干燥步骤结束后至开始贴合步骤为止的期间，保管两晶圆直到进行贴合步骤时的贴合速度变为20mm/秒以下为止，并且在贴合速度为20mm/秒以下的状态进行贴合。由此，提供能以简便的方法抑制外缘微小孔洞产生，而制造SOI晶圆的SOI晶圆制造方法。

主权项

1.一种SOI晶圆的制造方法，包含：贴合步骤，将由硅晶圆所构成的接合晶圆及由硅晶圆所构成的基底晶圆，通过形成在所述接合晶圆及所述基底晶圆中至少一个的表面的硅氧化膜，在室温下贴合；以及薄膜化步骤，在所述贴合步骤后，薄膜化所述接合晶圆，而制造SOI晶圆，其中，在所述贴合步骤前，还包含：洗净步骤，以亲水性的洗净液洗净所述接合晶圆及所述基底晶圆，以及干燥步骤，通过吸引干燥及旋转干燥中至少一个干燥方法，将进行过所述洗净步骤后的接合晶圆及基底晶圆予以干燥，其中，在所述干燥步骤结束后至开始所述贴合步骤为止期间，保管所述接合晶圆及所述基底晶圆，直至进行所述贴合步骤时的贴合速度变为20mm/秒以下为止，以及所述贴合速度为20mm/秒以下而进行所述贴合。