[发明专利]图案化基底的制备方法有效
| 申请号： | 201780072438.2 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110024081B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李美宿;具世真;朴鲁振;金廷根;李济权;崔银英;柳亨周;尹圣琇 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H10K71/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵丹;高世豪 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于制备图案化基底的方法。该方法可以应用于制造器件如电子器件和集成电路的过程；或应用于其他应用，例如集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头或有机发光二极管等的制造；并且还可以用于在用于制造离散轨道介质(例如集成电路、比特图案化介质和/或磁存储装置如硬盘驱动器)的表面上构建图案。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 基底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备图案化基底的方法，包括：在其中在其表面上形成有具有底部和侧壁的沟槽并且在所述底部和所述侧壁上形成有相同的有机层的基底中，在所述沟槽中形成包含嵌段共聚物的膜并诱导自组装结构的步骤，其中所述嵌段共聚物是包含具有第一单体作为单体单元的聚合物链段A、和具有与所述第一单体不同的第二单体作为单体单元的聚合物链段B的嵌段共聚物，以及所述有机层使所述嵌段共聚物的所述自组装结构形成垂直取向的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
