[发明专利]使用动态冗余寄存器将数据写入存储器设备的方法有效

专利信息
申请号: 201780072273.9 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN109997189B 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: M·艾尔·巴拉吉;N·伯杰;B·S·路易;L·M·克鲁德尔;D·L·希尔曼 申请(专利权)人: 芯成半导体(开曼)有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;G11C29/24
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 高伟
地址: 开曼群岛*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了用于设备使用的动态冗余寄存器。所述动态冗余寄存器允许所述设备的存储体在高写错误率(WER)的情况下操作。将第一级冗余寄存器(e1寄存器)耦合到所述存储体。所述e1寄存器可存储已经验证失败或者未进行验证的数据字。所述e1寄存器将数据字传送到另一动态冗余寄存器(e2寄存器)。在进行预定次数的重写尝试之后,所述e1寄存器可以将未能写入的数据字传送到存储体。所述e1寄存器还可以在断电的情况下传送数据字。
搜索关键词: 使用 动态 冗余 寄存器 数据 写入 存储器 设备 方法
【主权项】:
1.一种将数据写入存储器设备的方法,所述方法包括:将数据字写入多个存储器地址中的选定的一个存储器地址处的存储体,其中所述存储体包括多个存储器单元,其中每个存储器单元布置成将数据字存储在多个存储器地址之一处;验证被写入所述存储体的所述数据字,以确定是否将所述数据字成功写入其中;以及响应于确定未将所述数据字成功写入,将所述数据字和所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址写入第一级动态冗余寄存器。
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