[发明专利]使用动态冗余寄存器将数据写入存储器设备的方法有效

专利信息
申请号: 201780072273.9 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN109997189B 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: M·艾尔·巴拉吉;N·伯杰;B·S·路易;L·M·克鲁德尔;D·L·希尔曼 申请(专利权)人: 芯成半导体(开曼)有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;G11C29/24
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 高伟
地址: 开曼群岛*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 动态 冗余 寄存器 数据 写入 存储器 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种将数据写入存储器设备的方法,所述方法包括:

将数据字写入多个存储器地址中的选定的一个存储器地址处的存储体,其中所述存储体包括多个存储器单元,其中每个存储器单元布置成将数据字存储在多个存储器地址之一处;

验证被写入所述存储体的所述数据字,以确定是否将所述数据字成功写入其中;

响应于确定未将所述数据字成功写入,将所述数据字和所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址写入第一级动态冗余寄存器;以及

将存储在所述第一级动态冗余寄存器中的所述数据字重写入所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址处的所述存储体中。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述存储器单元是自旋转移力矩磁随机存取存储器(STT-MRAM)存储器单元。

3.如权利要求1所述的方法,还包括:将存储在所述第一级动态冗余寄存器中的所述数据字重写入所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址处的所述存储体中多次,直到成功写入所述数据字。

4.如权利要求1所述的方法,还包括:

将存储在所述第一级动态冗余寄存器中的所述数据字重写入所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址处的所述存储体中;

响应于所述重写,执行验证以确定所述数据字是否被成功写入所述存储体;以及

响应于确定在所述重写期间未成功写入所述数据,将所述数据字和所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址写入第二级动态冗余寄存器。

5.如权利要求4所述的方法,还包括:

将所述数据字从所述第二级动态冗余寄存器重映射到所述存储体中的地址,其中所述第二级动态冗余寄存器存储所述数据字的重映射地址。

6.如权利要求4所述的方法,还包括:

在将所述数据字和所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址写入所述第二级动态冗余寄存器之前,尝试重写入所述存储体预定次数,并且其中使用与重写尝试相关联的控制位存储所述预定次数。

7.如权利要求6所述的方法,其中使用所述第一级动态冗余寄存器的控制位存储所述预定次数。

8.如权利要求6所述的方法,其中在所述存储体不活动的时钟周期期间执行所述尝试重写。

9.如权利要求1所述的方法,其中所述存储体包括伪双端口存储体,其中所述伪双端口存储体可操作为在同一时钟周期中执行写操作和验证操作。

10.如权利要求9所述的方法,其中所述写操作和所述验证操作包括共享公共行地址的数据字。

11.如权利要求1所述的方法,其中所述存储体包括双端口存储体,其中所述双端口存储体可操作为在相同的时钟周期中执行写操作和验证操作,并且其中所述写操作和所述验证操作包括共享公共行地址的数据字。

12.如权利要求1所述的方法,其中所述第一级动态冗余寄存器包括易失性存储器。

13.如权利要求1所述的方法,其中所述第一级动态冗余寄存器包括非易失性存储器。

14.如权利要求4所述的方法,其中所述第二级动态冗余寄存器包括非易失性存储器。

15.如权利要求4所述的方法,其中所述第二级动态冗余寄存器包括易失性存储器。

16.如权利要求1所述的方法,还包括:

在断电时将所述数据字和所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址写入第二级动态冗余寄存器,其中所述第一级动态冗余寄存器包括易失性存储器,并且其中所述第二级动态冗余寄存器包括非易失性存储器。

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