[发明专利]双面研磨装置用载体、双面研磨装置及双面研磨方法有效
申请号: | 201780072127.6 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN109983562B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 田中佑宜;北爪大地 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/08;B24B37/28 |
代理公司: | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人: | 许天易 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种双面研磨装置用载体,在将半导体硅晶圆双面研磨的双面研磨装置中将该双面研磨装置用载体设置于各别贴附有研磨布的上下定盘之间,且该双面研磨装置用载体形成有用于在研磨之际将被夹在该上下定盘之间的该半导体硅晶圆予以支承的支承孔,其中该双面研磨装置用载体为树脂制,与该研磨布接触的表背面的相对于纯水的接触角度的平均值为45°以上60°以下,且表面与背面的接触角度的平均值的差为5°以内。由此提供使用树脂制载体的能提升半导体硅晶圆的研磨率的双面研磨装置用载体,以及使用此物的双面研磨装置及双面研磨方法。 | ||
搜索关键词: | 双面 研磨 装置 载体 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双面研磨装置用载体,在将半导体硅晶圆予以双面研磨的双面研磨装置之中将该双面研磨装置用载体设置于各别贴附有研磨布的上定盘及下定盘之间,且该双面研磨装置用载体形成有支承孔,该支承孔用于在研磨之际将被夹在该上定盘及该下定盘之间的该半导体硅晶圆予以支承,其中该双面研磨装置用载体为树脂制,与该研磨布接触的表面及背面的相对于纯水的接触角度的平均值为45°以上60°以下,且该表面与该背面的接触角度的平均值的差为5°以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造