[发明专利]金属氧化物异质接合结构、其制造方法及含其的薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201780071720.9 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110268528A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 徐亨卓;李相渊;朴娥怜 | 申请（专利权）人： | 亚洲大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/51;H01L29/43;H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种包括氧化铟层及与所述氧化铟层接触的氧化铝层的金属氧化物异质接合结构，金属氧化物异质接合结构的特征在于所述氧化铟层与所述氧化铝层之间形成有含铟离子、铝离子及氧离子且提供电荷的移动通道的界面层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氧化物 接合结构 氧化铟层 异质 氧化铝层 薄膜晶体管 移动通道 电荷 界面层 铝离子 氧离子 铟离子 制造 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物异质接合结构，其包括氧化铟层及与所述氧化铟层接触的氧化铝层，其特征在于，所述氧化铟层与所述氧化铝层之间形成有含铟离子、铝离子及氧离子且提供电荷的移动通道的界面层。
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