[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201780071699.2 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN110168715B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 松本昌大;中野洋;柳川善光;小田部晃 | 申请(专利权)人: | 日立安斯泰莫株式会社 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 以往的电子装置的保护电路的耐电涌性差,难以将集成电路的外部连接端子直接连接至电子装置等的外部连接端子。本实施例的电子装置的保护电路具备:连接外部信号的外部连接端子(1);连接外部连接端子(1)与保护电阻(3)的配线层(2);保护内部电路不受从外部连接端子(1)输入的电涌或噪声的影响的保护电阻(3);分割保护电阻(3)的狭缝(4、5、6、7、8、9、10);通过利用狭缝(4、5、6、7、8、9、10)分割保护电阻(3)而构成的电流分散电阻(11、12、13、14、15、16、17、18);以及连接至电流分散电阻(11、12、13、14、15、16、17、18)的MOS晶体管(19、20、21、22、23、24、25、26)。 | ||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电子装置,其具有半导体设备,所述半导体设备具备:外部连接端子;保护电阻,其连接至所述外部连接端子;以及多个半导体元件,它们连接至所述保护电阻,所述多个半导体元件并联在一起,该电子装置的特征在于,所述保护电阻具有由狭缝、槽、连续的孔、连续的凹部中的至少任一方形成的图案部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造