[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780066313.9 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109923742B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 佐藤进;滨口达史;泉将一郎;风田川统之;伊藤仁道;御友重吾;中岛博 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，包括：层压结构体，由GaN基化合物半导体形成，在所述层压结构体中，层压了包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一化合物半导体层、面向所述第一化合物半导体层的第二表面的有源层、以及第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层包括面向所述有源层的第一表面和与所述第二化合物半导体层的第一表面相对的第二表面；第一光反射层，设置在所述第一化合物半导体层的第一表面侧上；和第二光反射层，设置在所述第二化合物半导体层的第二表面侧，其中，所述第一光反射层包括凹面镜部分，并且所述第二光反射层具有平坦形状。
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