[发明专利]低聚硅烷的制造方法和低聚硅烷的制造装置在审
| 申请号: | 201780066110.X | 申请日: | 2017-10-23 |
| 公开(公告)号: | CN109923067A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
| 发明(设计)人: | 埜村清志;内田博 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号: | C01B33/04 | 分类号: | C01B33/04;B01D53/04;B01D69/00;B01D71/02;B01J29/48 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李照明;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明的目的是,提供能够高效制造目标低聚硅烷的低聚硅烷制造方法。将氢化硅烷脱氢缩合而得到的含有低聚硅烷的反应生成混合物流体在特定条件下供给膜分离器、和/或使其在特定条件下与吸附剂接触。 | ||
| 搜索关键词: | 低聚硅烷 分离器 反应生成混合物 高效制造 氢化硅烷 脱氢缩合 制造装置 供给膜 吸附剂 流体 制造 | ||
【主权项】:
1.一种低聚硅烷的制造方法,其特征在于,包含第1工序和第2工序,在第1工序中,使氢化硅烷脱氢缩合而生成低聚硅烷,在第2工序中,对经所述第1工序而得到的反应生成混合物流体进行下述(A)和/或(B)的处理,将所述反应生成混合物流体分离成原料含量高的流体和生成物含量高的流体,所述原料含量高的流体中硅原子数为2以上且5以下的低聚硅烷相对于全部硅烷化合物的摩尔浓度低于所述反应生成混合物流体中硅原子数为2以上且5以下的低聚硅烷相对于全部硅烷化合物的摩尔浓度,所述生成物含量高的流体中硅原子数为2以上且5以下的低聚硅烷相对于全部硅烷化合物的摩尔浓度高于所述反应生成混合物流体中硅原子数为2以上且5以下的低聚硅烷相对于全部硅烷化合物的摩尔浓度,(A)将所述反应生成混合物流体在满足下述(a‑1)~(a‑3)的条件下供给至膜分离器,作为从膜透过去的流体得到所述原料含量高的流体,作为没有从膜透过去的流体得到所述生成物含量高的流体,(a‑1)所述膜分离器的膜的材质是沸石、多孔质二氧化硅、氧化铝或氧化锆,(a‑2)供给至所述膜分离器的所述反应生成混合物流体的压力是0.1MPa以上且10MPa以下,(a‑3)供给至所述膜分离器的所述反应生成混合物流体的温度为‑10℃以上且低于300℃,(B)使所述反应生成混合物流体在满足下述(b‑1)~(b‑3)的条件下与吸附剂接触,作为没有被所述吸附剂吸附的流体得到所述原料含量高的流体,作为被所述吸附剂吸附之后、脱附了的流体得到所述生成物含量高的流体,(b‑1)所述吸附剂的材质是沸石、氧化铝凝胶、二氧化硅凝胶或活性碳,(b‑2)与所述吸附剂接触的所述反应生成混合物流体的压力为0.1MPa以上且20MPa以下,(b‑3)与所述吸附剂接触的所述反应生成混合物流体的温度为‑50℃以上且200℃以下。
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