[发明专利]聚碳硅烷先驱体的制备方法有效
申请号: | 201710339235.7 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN107057071B | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 王小宙;王浩;王军;邵长伟;简科 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | C08G77/60 | 分类号: | C08G77/60;D01F9/10;C04B35/571 |
代理公司: | 11429 北京中济纬天专利代理有限公司 | 代理人: | 陆薇薇<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种聚碳硅烷先驱体的制备方法,包括以下步骤:1.向钠沙有机溶液中加入氯硅烷进行Wurtz缩合反应,得到聚硅烷,所述聚硅烷与有机硼在惰性气氛保护下进行裂解重排得到所述聚碳硅烷先驱体。本发明通过制备低碳含量的聚硅烷,以此为原料,在有机硼作用下裂解重排制备低碳含量的聚碳硅烷,本发明得到的聚碳硅烷的碳硅原子比相对现有聚碳硅烷低5‑20%,在制备高性能碳化硅陶瓷材料上有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 硅烷 先驱 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种聚碳硅烷先驱体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:向钠砂有机溶液中加入氯硅烷进行Wurtz缩合反应,得到聚硅烷,所述聚硅烷与有机硼在惰性气氛保护下进行裂解重排得到所述聚碳硅烷先驱体;/n所述氯硅烷由二甲基二氯硅烷、甲基二氯硅烷、二氯硅烷和三甲基氯硅烷按质量比为100:5-30:1-10:0.1-3组成;/n所述氯硅烷的加入顺序为按二甲基二氯硅烷、甲基二氯硅烷、二氯硅烷和三甲基氯硅依序加入;/n所述聚硅烷与所述有机硼的质量比为100:0.5-10,/n所述有机硼为 /n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学,未经中国人民解放军国防科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710339235.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种可热交联的超支化聚碳硅烷苯并环丁烯树脂及其制备方法-201710156298.9
- 李娴;杨军校;钟楠;范立;胡欢;黄亚文 - 西南科技大学
- 2017-03-16 - 2020-02-07 - C08G77/60
- 本发明公开了式(Ⅲ)所示的可热交联的超支化聚碳硅烷苯并环丁烯树脂及其制备方法,该超支化聚碳硅烷苯并环丁烯树脂的制备方法是:按氯甲基三氯硅烷:4‑溴苯并环丁烯:卤代烷烃:镁为1:1~10:1~10:1~2的摩尔比例取各原料,碘为引发剂,四氢呋喃或/和乙醚作溶剂并将各原料稀释配制成溶液;将镁、碘粒投入到反应器,搅拌下,在温度30~80℃下顺次滴加入氯甲基三氯硅烷、4‑溴苯并环丁烯、以及卤代烷烃的四氢呋喃或/和乙醚溶液反应;反应后物料中加入水中止反应,经有机溶剂萃取、干燥、蒸馏浓缩除去溶剂,再经蒸馏或硅胶柱层析即制得。本发明树脂的热学、电学性能优良,可用于微电子工业、航天航空和国防等领域中。
- 一种聚硅氧烷改性含硅芳炔树脂的制备方法-201710140409.7
- 周燕;黄发荣;杨庆涛;邓诗峰;杜磊 - 华东理工大学
- 2017-03-10 - 2020-01-24 - C08G77/60
- 本发明公开了一种乙炔基苯胺封端的聚硅氧烷改性含硅芳炔树脂及其制备方法。制备方法为:在惰性气体保护下,将5‑30重量份数乙炔基苯胺封端的聚硅氧烷(SO)和70‑95重量份数含硅芳炔树脂(PSA)在100‑140℃下搅拌反应0.5‑3小时得到红褐色改性含硅芳炔树脂。得到的乙炔基苯胺封端的聚硅氧烷改性含硅芳炔树脂,在保持含硅芳炔树脂优良耐热性能的同时,树脂的粘度显著降低、工艺性能改善,介电性能改善,力学性能进一步提高,拓展了含硅芳炔树脂作为耐烧蚀材料、耐高温透波材料、陶瓷前驱体、结构功能一体化材料等在航空航天、军事及电子等领域的应用范围。
- 聚碳硅烷先驱体的制备方法-201710339235.7
- 王小宙;王浩;王军;邵长伟;简科 - 中国人民解放军国防科学技术大学
- 2017-05-15 - 2019-11-22 - C08G77/60
- 本发明提供一种聚碳硅烷先驱体的制备方法,包括以下步骤:1.向钠沙有机溶液中加入氯硅烷进行Wurtz缩合反应,得到聚硅烷,所述聚硅烷与有机硼在惰性气氛保护下进行裂解重排得到所述聚碳硅烷先驱体。本发明通过制备低碳含量的聚硅烷,以此为原料,在有机硼作用下裂解重排制备低碳含量的聚碳硅烷,本发明得到的聚碳硅烷的碳硅原子比相对现有聚碳硅烷低5‑20%,在制备高性能碳化硅陶瓷材料上有广阔的应用前景。
- 专利分类