[发明专利]聚碳硅烷先驱体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710339235.7 申请日: 2017-05-15
公开(公告)号: CN107057071B 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: 王小宙;王浩;王军;邵长伟;简科 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: C08G77/60 分类号: C08G77/60;D01F9/10;C04B35/571
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地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供一种聚碳硅烷先驱体的制备方法,包括以下步骤:1.向钠沙有机溶液中加入氯硅烷进行Wurtz缩合反应,得到聚硅烷,所述聚硅烷与有机硼在惰性气氛保护下进行裂解重排得到所述聚碳硅烷先驱体。本发明通过制备低碳含量的聚硅烷,以此为原料,在有机硼作用下裂解重排制备低碳含量的聚碳硅烷,本发明得到的聚碳硅烷的碳硅原子比相对现有聚碳硅烷低5‑20%,在制备高性能碳化硅陶瓷材料上有广阔的应用前景。
搜索关键词: 硅烷 先驱 制备 方法
【主权项】:
1.一种聚碳硅烷先驱体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:向钠砂有机溶液中加入氯硅烷进行Wurtz缩合反应,得到聚硅烷,所述聚硅烷与有机硼在惰性气氛保护下进行裂解重排得到所述聚碳硅烷先驱体;/n所述氯硅烷由二甲基二氯硅烷、甲基二氯硅烷、二氯硅烷和三甲基氯硅烷按质量比为100:5-30:1-10:0.1-3组成;/n所述氯硅烷的加入顺序为按二甲基二氯硅烷、甲基二氯硅烷、二氯硅烷和三甲基氯硅依序加入;/n所述聚硅烷与所述有机硼的质量比为100:0.5-10,/n所述有机硼为/n
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