[发明专利]电荷雪崩光电探测器系统有效
申请号: | 201780065010.5 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN110100315B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 伊内斯·弗雷塞 | 申请(专利权)人: | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L27/144;H01L31/024 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;何月华 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种电荷雪崩光电探测器系统,包括基于电荷雪崩原理的电荷雪崩光电探测器以及电连接在所述电荷雪崩光电探测器下游的放大器电子器件(2),所述电荷雪崩光电探测器例如为硅光电倍增器(1),所述电荷雪崩光电探测器能够选择性的利用偏置电压或不利用这种偏置电压操作。根据该偏置电压,所述电荷雪崩光电探测器能够在盖格模式、电荷积分模式和PIN光电二极管模式下操作。这使得探测器系统的动态范围被扩展,由此既能够探测低强度光信号又能够探测高强度光信号。 | ||
搜索关键词: | 电荷 雪崩 光电 探测器 系统 | ||
【主权项】:
1.一种电荷雪崩光电探测器系统CAPDS,包括:基于电荷雪崩原理的电荷雪崩光电探测器(1),所述电荷雪崩光电探测器优选为半导体光电倍增器或雪崩光电二极管;以及放大器电子器件(2),所述放大器电子器件电连接在所述电荷雪崩光电探测器(1)的下游(1‑2);其中,所述电荷雪崩光电探测器(1)能够选择性地利用偏置电压Vbias或不利用这种偏置电压Vbias操作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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