[发明专利]可见光通信片上系统在审
申请号: | 201780059684.4 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN109831925A | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | A·王 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学董事会 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H04B10/116;H04B10/516;H04B10/69;H04W12/06;H05B33/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;李辉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及可见光通信(VLC)片上系统(SoC)系统/方法和VLC系统级封装(SiP)系统/方法。VLC SoC系统可以包括:在硅基板的第一部分上制作的包括VLC编码器和LED驱动器的集成电路,以及在所述硅基板的第二部分上选择性地生长的化合物半导体中制作的LED。VLC SiP系统可以包括:在硅基板上制作的包括VLC编码器和LED驱动器的集成电路,和在化合物半导体中制作的LED。所述集成电路和所述LED可以封装在SiP模块中。可以在所述集成电路与所述LED之间形成互连。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 硅基板 化合物半导体 可见光通信 片上系统 制作 编码器 封装 互连 生长 | ||
【主权项】:
1.一种制造可见光通信(VLC)片上系统(SoC)系统的方法,所述方法包括以下步骤:在硅基板的第一部分上制作包括VLC编码器和LED驱动器的集成电路;在所述硅基板的第二部分上选择性地生长化合物半导体;以及在所述硅基板的所述第二部分上选择性地生长的所述化合物半导体中制作LED,其中,所述LED被配置为VLC发射器,所述VLC编码器被配置成编码VLC信号,并且所述LED驱动器被配置成根据所述VLC信号驱动所述LED发射可见光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于加利福尼亚大学董事会,未经加利福尼亚大学董事会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780059684.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的