[发明专利]微晶有机半导体膜、有机半导体晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种即使被图案化或暴露在高热中，也能够有效地抑制龟裂的产生或龟裂的扩散的有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。一种包含由下述通式(1)表示的分子量3000以下的化合物，且晶畴的尺寸为1nm以上且100nm以下的微晶有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。X、Y及Z表示特定的环构成原子。R1及R2表示氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，R3及R4表示卤素原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基。m及n表示0～2的整数。

主权项

1.一种微晶有机半导体膜，其包含由下述通式(1)表示的分子量3000以下的化合物，且晶畴的尺寸为1nm以上且100nm以下，[化学式1]通式(1)中，X表示氧原子、硫原子、硒原子、碲原子或NR⁵，Y及Z表示CR⁶、氧原子、硫原子、硒原子、氮原子或NR⁷，具有Y及Z的5员环为芳香族杂环，通式(1)中，R¹及R²直接或经由2价基团A间接地与包含Y及Z的5员环的环构成原子键合，R³及R⁴直接或经由2价基团A间接地与苯环的环构成原子键合，该2价基团A为选自‑O‑、‑S‑、‑NR⁸‑、‑CO‑、‑SO‑及‑SO₂‑中的基团或由这些基团的2种以上连接而成的基团，R¹、R²、R⁵、R⁶、R⁷及R⁸表示氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，R³及R⁴表示卤素原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，m及n为0～2的整数，其中，不包括X为氧原子或硫原子并且具有Y及Z的5员环为咪唑环的方式，以及不包括X为硫原子、Y为CH、Z为硫原子并且R¹及R²均为氢原子、并且m及n均为0的方式。