[发明专利]采用介电材料层以向沟道区域施加应力的鳍式场效应晶体管(FET)(FINFET)在审
| 申请号： | 201780056420.3 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN109844957A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | U·卢;Y·S·崔;S·埃克波特 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了采用介电材料层以向沟道区域施加应力的鳍式场效应晶体管(FET)(FinFET)。在一个方面中，提供的FinFET包括衬底和设置在衬底上方的鳍。鳍包括源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区域。栅极设置在沟道区域周围。为了向沟道区域施加应力，第一介电材料层设置在衬底上方且与鳍的一侧相邻。第二介电材料层设置在衬底上方且与鳍的另一侧相邻。介电材料层沿着包括沟道区域的鳍施加应力。由介电材料层施加的应力的等级不依赖于每个层的体积。 | ||
| 搜索关键词： | 介电材料层 沟道区域 衬底 施加 鳍式场效应晶体管 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管(FET)(FinFET)，包括：衬底；鳍，设置在所述衬底之上，所述鳍包括：源极；漏极；和沟道区域，设置在所述源极和所述漏极之间；栅极，设置在所述沟道区域周围；第一介电材料层，设置在所述衬底之上且与所述鳍的第一侧相邻，其中所述第一介电材料层向所述沟道区域施加应力；以及第二介电材料层，设置在所述衬底之上且与所述鳍的不同于所述第一侧的第二侧相邻，其中所述第二介电材料层向所述沟道区域施加应力。
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