[发明专利]太阳能单电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201780051599.3 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109643738A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 高滨豪;筱原亘;市桥由成;吉村直记 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0248 | 分类号： | H01L31/0248;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供太阳能单电池(100)的制造方法，其包括通过对半导体衬底(10)照射激光使表面非晶化来形成本征非晶层(12i)、第1导电型层(12n)和第2导电型层(12p)的工序；和将氢导入到本征非晶层(12i)、第1导电型层(12n)和第2导电型层(12p)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 第1导电型层 导电型层 单电池 非晶层 本征 太阳能 非晶化 衬底 半导体 制造 照射 激光 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能单电池的制造方法，其特征在于，包括：通过对晶体硅衬底照射激光使所述晶体硅衬底的表面非晶化来形成非晶硅层的第1工序；和向所述非晶硅层导入氢的第2工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
