[发明专利]具有载流子生成的钉扎光电二极管的解调器及其操作方法有效
| 申请号： | 201780049396.0 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN109564277B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 沃德·范·德·腾佩尔 | 申请（专利权）人： | 索尼深度传感解决方案股份有限公司 |
| 主分类号： | G01S7/4913 | 分类号： | G01S7/4913;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;刘彬 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种解调器，包括钉扎光电二极管；至少一个存储节点；至少一个传输栅极，连接在存储节点和钉扎光电二极管之间。钉扎光电二极管包括：p掺杂外延半导体层；n掺杂半导体区，形成在外延半导体层内；p+钉扎层，形成在半导体区的顶部。钉扎层分成由电绝缘元件隔开的至少两个单独区域，每个区域被设置成由相应的偏置信号独立偏置，以在半导体区内产生电势梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 载流子 生成 光电二极管 解调器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种解调器，包括：‑钉扎光电二极管，被配置为响应于入射调制信号生成多数载流子和少数载流子；‑至少一个存储节点，被配置为存储由所述钉扎光电二极管生成的所述少数载流子；‑至少一个传输栅极，连接在所述存储节点和所述钉扎光电二极管之间，并且所述传输栅极被设置为由传输信号驱动，用于将所述钉扎光电二极管生成的所述少数载流子传输到所述存储节点；所述钉扎光电二极管包括：‑外延半导体层，以第一导电类型的第一掺杂剂(p，n)掺杂；‑半导体区，以与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂(n，p)掺杂，所述半导体区形成在所述外延半导体层内；和‑钉扎层，以所述第一导电类型的第三掺杂剂(p+，n+)高度掺杂，所述钉扎层形成在所述半导体区的顶部，所述钉扎层分成由电绝缘元件隔开的至少两个单独区域，每个所述区域被设置成由相应的偏置信号独立偏置，以在所述半导体区内产生电势梯度。
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