[发明专利]一种磁隧道结(MTJ)器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780048801.7 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109643754B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 朴禅度;J·J·坎;康相赫 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开的各方面包括减少或避免来自蚀刻磁隧道结(MTJ)器件的金属沉积。在一个示例中，MTJ器件的底部电极的宽度被设置为小于MTJ器件的MTJ堆叠的宽度。以这种方式，可以减少或避免底部电极的蚀刻以减少或避免由于过蚀刻MTJ器件而导致的金属再沉积以避免相邻器件之间的水平短路。在另一示例中，种子层嵌入MTJ器件的底部电极中。以这种方式，MTJ堆叠的高度减小以减少或避免由于过蚀刻MTJ器件而导致的金属再沉积。在另一示例中，MTJ器件包括底部电极中的具有的宽度也小于MTJ堆叠的宽度的嵌入种子层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隧道 mtj 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁隧道结(MTJ)器件，包括：底部电极，具有宽度；种子层；以及MTJ堆叠柱，具有大于所述底部电极的宽度的宽度，并且设置在所述底部电极上方并且与所述底部电极电接触，所述MTJ堆叠柱包括：钉扎层，设置在所述种子层上方；自由层，设置在所述种子层上方；以及隧道势垒，设置在所述钉扎层与所述自由层之间，所述隧道势垒被配置为在所述钉扎层与所述自由层之间提供隧道磁电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780048801.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制造多个压电多层器件的方法
- 下一篇：磁传感器及电流传感器
