[发明专利]制造具有不同原子或分子浓度的掺杂剂物质的相关电子材料膜在审
| 申请号： | 201780048726.4 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109564969A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 金柏莉·盖伊·里德;卢西恩·斯弗恩 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术总体涉及制造分层的相关电子材料(CEM)，其中，第一组一个或多个层可以包括第一浓度的掺杂剂物质，并且其中，第二组一个或多个层可以包括第二浓度的掺杂物质。在其他实施例中，CEM可以包括渐变浓度的掺杂剂物质的一个或多个区域。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂剂物质 电子材料 掺杂物质 技术总体 渐变 分层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种构造设备的方法，包括：在腔室中，在衬底上方形成一个或多个第一层的相关电子材料(CEM)，所述一个或多个第一层的CEM具有第一浓度的第一掺杂剂物质；以及在所述一个或多个第一层的CEM上方形成一个或多个第二层的CEM，所述一个或多个第二层的CEM具有第二浓度的第二掺杂剂物质，所述第二掺杂剂物质的第二浓度基本上不同于所述第一掺杂剂物质的第一浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ARM有限公司，未经ARM有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780048726.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁性隧道结装置及其制造方法
- 下一篇：二次电池
