[发明专利]制造具有不同原子或分子浓度的掺杂剂物质的相关电子材料膜

说明书

本技术总体涉及制造分层的相关电子材料(CEM)，其中，第一组一个或多个层可以包括第一浓度的掺杂剂物质，并且其中，第二组一个或多个层可以包括第二浓度的掺杂物质。在其他实施例中，CEM可以包括渐变浓度的掺杂剂物质的一个或多个区域。

技术领域

本技术涉及相关电子设备，并且更具体地，可以涉及在制造例如可以用在开关、存储器电路等中使用的可以呈现期望阻抗特性的相关电子设备时使用掺杂剂。

背景技术

例如，可以在各种电子设备类型中找到诸如电子开关设备之类的集成电路设备。例如，存储器和/或逻辑设备可以包含适用于计算机、数码相机、智能电话、平板设备、个人数字助理等的电子开关。在考虑电子开关设备是否适用于特定应用时，设计者可能感兴趣的与电子开关设备有关的因素可包括例如物理尺寸、存储密度、工作电压、阻抗范围和/或功耗。设计者可能感兴趣的其他因素可包括例如制造成本、易于制造、可扩展性和/或可靠性。此外，对呈现较低功率和/或较高速度的特性的存储器和/或逻辑设备的需求似乎不断增加。然而，可能非常适合于某些类型的存储器和/或逻辑设备的传统制造技术可能不适用于制造采用相关电子材料的设备。

附图说明

在说明书的结尾部分特别指出并明确要求保护了所要求保护的主题。然而，关于操作的组织和/或方法，连同其目的、特征和/或优势，通过参考下面的详细描述，如果与附图一起阅读，则可以最好地进行理解，在附图中：

图1A是示出由相关电子材料形成的设备的电流密度相对电压分布的实施例的图示；

图1B是包括相关电子材料的开关设备的实施例的图示以及相关电子材料开关的等效电路的示意图；

图2是包括具有阶梯式原子或分子浓度的掺杂剂物质的相关电子材料的设备的实施例的图示，以及示出掺杂剂物质原子或分子浓度相对距衬底边界的距离的曲线图；

图3是包括具有阶梯式和渐变原子或分子浓度的掺杂剂物质的相关电子材料的CEM设备堆叠的实施例的图示，以及示出掺杂剂物质的原子或分子浓度相对距衬底边界的距离的曲线图；

图4-5是包括具有两种掺杂剂物质原子或分子浓度的相关电子材料的CEM设备堆叠的实施例的图示，以及示出掺杂剂物质原子或分子浓度相对距衬底边界的距离的曲线图；

图6A-6B是单层和亚单层相关电子材料膜的实施例的图示；

图7A-7E和图8A-8E是示出根据实施例的可以在制造相关电子材料设备的方法中使用的气体流动和温度分布(作为时间的函数)的图示；

图9是用于制造具有不同原子或分子浓度的掺杂剂物质的相关电子膜的一般过程的实施例的流程图。

具体实施方式

在下面的详细描述中参考形成其一部分的附图，其中，相同的标号可以始终指定相应和/或类似的相同部分。将理解，附图不一定是按比例绘制的，例如，为了说明的简单性和/或清楚性。例如，一些方面的尺寸可能相对于其他方面被夸大。此外，将理解，可以使用其他实施例。此外，可以做出结构和/或其他改变而不脱离所要求保护的主题。本说明书通篇对“所要求保护的主题”的引用是指旨在由一个或多个权利要求或其任何部分涵盖的主题，并且不一定旨在表示完整的权利要求集、权利要求集的特定组合(例如，方法权利要求、装置权利要求等)、或特定权利要求。还应注意，例如，诸如上、下、顶部、底部等之类的方向和/或参考可以用于促进对附图的讨论并且不旨在限制所要求保护的主题的应用。因此，下面的详细描述不被理解为限制所要求保护的主题和/或等同物。