[发明专利]制造具有不同原子或分子浓度的掺杂剂物质的相关电子材料膜

权利要求书

1.一种构造设备的方法，包括：

在腔室中，在衬底上方形成一个或多个第一层的相关电子材料(CEM)，所述一个或多个第一层的CEM具有第一浓度的第一掺杂剂物质；以及

在所述一个或多个第一层的CEM上方形成一个或多个第二层的CEM，所述一个或多个第二层的CEM具有第二浓度的第二掺杂剂物质，所述第二掺杂剂物质的第二浓度基本上不同于所述第一掺杂剂物质的第一浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掺杂剂物质的第一浓度包括约0.0％至约10.0％。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二掺杂剂物质的第二浓度包括约3.0％至约15.0％的范围内的近似固定值。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二掺杂剂物质的第二浓度包括渐变掺杂分布，所述渐变掺杂分布在约3.0％至约15.0％的范围的一部分内变化。

5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述第一掺杂剂物质和所述第二掺杂剂物质包括相同的掺杂剂物质。

6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述第一掺杂剂物质和所述第二掺杂剂物质包括不同的分子或原子掺杂剂物质。

7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述第一掺杂剂物质或所述第二掺杂剂物质包括碳、羰基、含碳物质、氮、氨、氯、氟、溴、硫、碘、一氧化氮、一氧化二氮、氰化物、羟基、或C_xH_yO_zN_a形式的物质，其中，x、y、z、a≥0，并且其中，集合{x、y、z、a}中的一个或多个大于0以对应于由下列项中的一个或多项形成的分子：C、H、O、N。

8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，形成所述一个或多个第二层的CEM包括形成CEM的亚单层。

9.根据任一前述权利要求所述的方法，还包括：

在腔室中对所述设备进行退火。

10.一种相关电子材料(CEM)设备，包括：

衬底；以及

在所述衬底上形成的CEM膜，所述CEM膜由第一组至少一个层和第二组至少一个层形成，其中：

所述第一组至少一个层包括一个浓度的第一掺杂剂物质，并且其中

所述第二组至少一个层包括一个浓度的第二掺杂剂物质，并且其中

所述第一掺杂剂物质的浓度基本上不同于所述第二掺杂剂物质的浓度。

11.根据权利要求10所述的CEM设备，其中，所述第一掺杂剂物质的浓度的范围为约3.0％至约15.0％。

12.根据权利要求10所述的CEM设备，其中，所述第二组至少一个层包括：

CEM的亚单层。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的CEM设备，其中，所述第一掺杂剂物质或所述第二掺杂剂物质包括碳、羰基、含碳物质、氮、氨、氯、氟、溴、硫、碘、一氧化氮、一氧化二氮、氰化物、羟基、或C_xH_yO_zN_a形式的物质，其中，x、y、z、a≥0，并且其中，集合{x、y、z、a}中的一个或多个大于0以对应于由下列项中的一个或多项形成的分子：C、H、O、N。

14.根据权利要求10至13中任一项所述的CEM设备，其中，所述第一组至少一个层或所述第二组至少一个层包括约在至的范围内的厚度尺寸。

15.根据权利要求10至13中任一项所述的CEM设备，其中，所述第一组至少一个层或所述第二组至少一个层包括约在至的范围内的厚度尺寸。