[发明专利]固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子设备在审
申请号: | 201780047587.3 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN109564929A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 驹井尚纪 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/12;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及一种能够进一步减小芯片尺寸的固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子设备。所述固态成像器件包括:半导体基板,所述半导体基板设有像素区域,在所述像素区域上多个像素以平面方式配置;配线层,所述配线层层叠在所述半导体基板上并且设有与多个所述像素连接的配线;和支撑基板,所述支撑基板接合到所述配线层并且支撑所述半导体基板。用于电连接到外部的多个电极焊盘配置在所述配线层中的在所述半导体基板的平面图中与所述像素区域重叠的位置处,以及在所述支撑基板中的与多个所述电极焊盘相对应的位置处设有贯通孔。例如,本技术可以适用于晶圆级CSP中的背面照射型CMOS图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 固态成像器件 半导体基板 像素区域 支撑基板 配线层 电子设备 位置处 配线 电极焊盘配置 背面照射型 电极焊盘 平面方式 接合 电连接 贯通孔 晶圆级 减小 像素 制造 芯片 外部 配置 支撑 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像器件,其包括:半导体基板,所述半导体基板设有像素区域,在所述像素区域上多个像素以平面方式配置;配线层,所述配线层层叠在所述半导体基板上并且设有与多个所述像素连接的配线;和支撑基板,所述支撑基板接合到所述配线层并且支撑所述半导体基板,其中用于电连接到外部的多个电极焊盘配置在所述配线层中的在所述半导体基板的平面图中与所述像素区域重叠的位置处,以及在所述支撑基板中的与多个所述电极焊盘相对应的位置处设有贯通孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780047587.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的