[发明专利]静电吸盘有效
申请号: | 201780044701.7 | 申请日: | 2017-07-20 |
公开(公告)号: | CN109478530B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 山口康介;佐佐木均;前畑健吾;近藤俊平;吉井雄一 | 申请(专利权)人: | TOTO株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周善来;王玉玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种静电吸盘,具备:陶瓷电介体基板,放置处理对象物;基座板,支撑陶瓷电介体基板;及加热器板,设置在陶瓷电介体基板与基座板之间,加热器板具有:第1、2支撑板;加热器元件,设置在第1支撑板与第2支撑板之间;第1树脂层,设置在第1支撑板与加热器元件之间;及第2树脂层,设置在第2支撑板与加热器元件之间,当在层叠方向上观察时,第1支撑板的第2支撑板侧的面具有:第1区域,重叠于加热器元件;及第2区域,并不重叠于加热器元件,第2区域比第1区域更向第2支撑板侧突出。 | ||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
【主权项】:
1.一种静电吸盘,具备:陶瓷电介体基板,具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面;基座板,设置于层叠方向上离开所述陶瓷电介体基板的位置,支撑所述陶瓷电介体基板;及加热器板,设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间,其特征为,所述加热器板具有:第1支撑板,包含金属;第2支撑板,包含金属;加热器元件,设置在所述第1支撑板与所述第2支撑板之间,因电流的流动而发热;第1树脂层,设置在所述第1支撑板与所述加热器元件之间;及第2树脂层,设置在所述第2支撑板与所述加热器元件之间,当沿着所述层叠方向观察时,所述第1支撑板的所述第2支撑板侧的面具有:第1区域,重叠于所述加热器元件;及第2区域,并不重叠于所述加热器元件,在平行于所述层叠方向的截面上,所述第2区域比所述第1区域更向所述第2支撑板侧突出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TOTO株式会社,未经TOTO株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780044701.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:作为半导体和机械处理中的工件载体的顶板的处理晶片
- 下一篇:晶片用基座
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造