[发明专利]有机芯轴保护方法有效
| 申请号： | 201780043912.9 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN109478022B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 高明辉;安热利克·雷利;索菲·蒂博;中村悟;尼哈尔·莫汉蒂 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/80;H01L21/027;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了对间隔物进行图案化的方法，所述方法包括：在处理室中在基底中设置初始图案化结构，初始图案化结构包括有机芯轴和下层；将图案化结构暴露在直流叠加(DCS)等离子体处理工艺中，该工艺将第一材料的层沉积在初始图案化结构上；使用第二材料进行原子层共形沉积工艺，第一材料在原子层共形沉积工艺开始时为有机芯轴提供保护；进行后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺，该工艺产生具有目标最终侧壁角度的最终图案化结构；在暴露图案化结构、原子层共形沉积工艺和后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺中同时控制集成操作变量以满足目标最终侧壁角度和其他集成目标。 | ||
| 搜索关键词： | 机芯 保护 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以多重图案化方案对间隔物进行图案化的方法，所述方法包括：在处理室中在基底中提供初始图案化结构，所述初始图案化结构包括有机芯轴和下层；将所述图案化结构暴露在直流叠加(DCS)等离子体处理工艺中，所述工艺在所述初始图案化结构上沉积第一材料的层，所述第一材料的层被配置成在后续操作期间保护所述图案化结构；使用第二材料进行原子层共形沉积工艺，所述第一材料在所述原子层共形沉积工艺开始时为所述有机芯轴提供保护；进行后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺，所述工艺产生具有目标最终侧壁角度的最终图案化结构；在暴露所述图案化结构、所述原子层共形沉积工艺和所述后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺中同时控制集成操作变量以满足所述目标最终侧壁角度和集成目标。
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