[发明专利]半导体逻辑元件和逻辑电路

摘要

本发明涉及一种半导体逻辑元件，包括：第一导电类型场效应晶体管和第二导电类型场效应晶体管。所述第一FET的栅极是所述半导体逻辑元件的输入，所述第二FET的漏极被称为所述半导体逻辑元件的输出，并且所述第二FET的源极是所述半导体逻辑元件的源极。通过向所述场效应晶体管的端子施加可适用的电位，可以影响所述逻辑元件的输出的状态。本发明还涉及包括描述的逻辑元件的不同种类的逻辑电路。

主权项

1.一种第一半导体逻辑元件，包括：第一导电类型的场效应晶体管，在下文被称为所述第一半导体逻辑元件的第一FET；以及第二导电类型的场效应晶体管，在下文被称为所述第一半导体逻辑元件的第二FET；其中所述第一半导体逻辑元件包括所述第一半导体逻辑元件的内部节点，其中，所述第一半导体逻辑元件的内部节点至少部分地形成有所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的漏极和所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的栅极，其中，所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的栅极在下文被称为所述第一半导体逻辑元件的输入，其中，所述第一半导体逻辑元件的输入被配置为被耦合至所述第一半导体逻辑元件的第一输入逻辑电位或被耦合至所述第一半导体逻辑元件的第二输入逻辑电位，其中，所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的漏极被称为所述第一半导体逻辑元件的输出，其中，所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的源极是所述第一半导体逻辑元件的源极，其中，所述第一半导体逻辑元件被配置为使得当所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的源极被布置在所述第一逻辑元件的第一源极电位时并且当所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的源极处于所述第一半导体逻辑元件的第一输出逻辑电位时并且当所述第一半导体逻辑元件的输入处于所述第一半导体逻辑元件的第一输入逻辑电位时，在所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的源极与所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的漏极之间建立不导电沟道，以将所述第一半导体逻辑元件的内部节点调节到使在所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的源极与所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的漏极之间的沟道处于不导电状态的电位，因此允许所述第一半导体逻辑元件的输出处于所述第一半导体逻辑元件的第一输出逻辑电位或处于所述第一半导体逻辑元件的第二输出逻辑电位，以及其中，所述第一半导体逻辑元件进一步被配置为使得当所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的源极被布置在所述第一半导体逻辑元件的第一源极电位时并且当所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的源极处于所述第一半导体逻辑元件的第一输出逻辑电位时并且当所述第一半导体逻辑元件的输入处于所述第一半导体逻辑元件的第二输入逻辑电位时，在所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的源极与所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的漏极之间的沟道被布置在不导电状态下，以使所述第一半导体逻辑元件的内部节点能调节到在所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的源极与所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的漏极之间建立包括移动的第二导电类型电荷载流子的导电沟道的电位，由此将所述第一半导体逻辑元件的输出调节到所述第一半导体逻辑元件的第一输出逻辑电位。