[发明专利]半导体逻辑元件和逻辑电路

权利要求书

1.一种第一半导体逻辑元件，包括：第一导电类型的场效应晶体管，在下文被称为所述第一半导体逻辑元件的第一FET；以及第二导电类型的场效应晶体管，在下文被称为所述第一半导体逻辑元件的第二FET；其中

所述第一半导体逻辑元件包括所述第一半导体逻辑元件的内部节点，其中，所述第一半导体逻辑元件的内部节点至少部分地形成有所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的漏极和所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的栅极，其中，所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的栅极在下文被称为所述第一半导体逻辑元件的输入，其中，所述第一半导体逻辑元件的输入被配置为被耦合至所述第一半导体逻辑元件的第一输入逻辑电位或被耦合至所述第一半导体逻辑元件的第二输入逻辑电位，

其中，所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的漏极被称为所述第一半导体逻辑元件的输出，

其中，所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的源极是所述第一半导体逻辑元件的源极，

其中，所述第一半导体逻辑元件被配置为使得当所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的源极被布置在所述第一逻辑元件的第一源极电位时并且当所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的源极处于所述第一半导体逻辑元件的第一输出逻辑电位时并且当所述第一半导体逻辑元件的输入处于所述第一半导体逻辑元件的第一输入逻辑电位时，在所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的源极与所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的漏极之间建立不导电沟道，以将所述第一半导体逻辑元件的内部节点调节到使在所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的源极与所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的漏极之间的沟道处于不导电状态的电位，因此允许所述第一半导体逻辑元件的输出处于所述第一半导体逻辑元件的第一输出逻辑电位或处于所述第一半导体逻辑元件的第二输出逻辑电位，以及

其中，所述第一半导体逻辑元件进一步被配置为使得当所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的源极被布置在所述第一半导体逻辑元件的第一源极电位时并且当所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的源极处于所述第一半导体逻辑元件的第一输出逻辑电位时并且当所述第一半导体逻辑元件的输入处于所述第一半导体逻辑元件的第二输入逻辑电位时，在所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的源极与所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET的漏极之间的沟道被布置在不导电状态下，以使所述第一半导体逻辑元件的内部节点能调节到在所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的源极与所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET的漏极之间建立包括移动的第二导电类型电荷载流子的导电沟道的电位，由此将所述第一半导体逻辑元件的输出调节到所述第一半导体逻辑元件的第一输出逻辑电位。

2.根据权利要求1所述的第一半导体逻辑元件，其中，所述第一半导体逻辑元件的内部节点包括以下之一：既用作所述第一半导体逻辑元件的第一漏极也用作所述第一半导体逻辑元件的至少一部分第二栅极的单个掺杂区域、所述第一半导体逻辑元件的第一漏极掺杂、和所述第一半导体逻辑元件的第二栅极。

3.根据权利要求1至2中的任一项所述的第一半导体逻辑元件，其中，以下中的至少一个是耗尽模式场效应晶体管：所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET、所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET。

4.根据权利要求1至2中的任一项所述的第一半导体逻辑元件，其中，以下中的至少一个是增强模式场效应晶体管：所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET、所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的第一半导体逻辑元件，其中，所述第一半导体逻辑元件的所述第一FET是以下之一：结型场效应晶体管、导体绝缘体半导体场效应晶体管、导体半导体场效应晶体管。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的第一半导体逻辑元件，其中，所述第一半导体逻辑元件的所述第二FET是以下之一：结型场效应晶体管、导体绝缘体半导体场效应晶体管、导体半导体场效应晶体管。