[发明专利]用于EUV投射光刻的投射光学单元有效
申请号: | 201780042774.2 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN109478020B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | M.施瓦布;H.恩基施;T.希克坦兹 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B17/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
一种用于EUV投射光刻的投射光学单元(7),具有用于以照明光(3)将物场(4)成像至像场(8)的多个反射镜(M1至M10)。反射镜中的至少一个反射镜(M1,M9,M10)实施为NI反射镜且反射镜中的至少一个反射镜(M2至M8)实施为GI反射镜。在垂直于入射平面(yz)的范围平面(xz)中的至少一个NI反射镜的反射镜尺寸Dx满足以下关系:4LLWx/IWPV |
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搜索关键词: | 用于 euv 投射 光刻 光学 单元 | ||
【主权项】:
1.一种用于EUV投射光刻的投射光学单元(7),‑包含用于以照明光(3)将物场(4)成像至像场(8)的多个反射镜(M1至M10),‑其中该反射镜中的至少一个反射镜(M1,M9,M10)实施为NI反射镜并配置使得以中心场点的主射线(16)的最大入射角(AOI)撞击该NI反射镜(M1,M9,M10)的反射表面,该最大入射角小于45°,其中该主射线(16)入射于该反射表面的射线部分及该主射线(16)来自该反射表面的射线部分位于入射平面(yz)中,‑其中该至少一个NI反射镜(M1,M9,M10)在垂直于该入射平面(yz)的范围平面(xz)中的反射镜尺寸Dx满足以下关系:4LLWx/IWPVmax<Dx,其中,以下适用:‑LLWx:该投射光学单元(7)在该范围平面(xz)中的光展量;‑IWPVmax:分别于相同的位置且于该NI反射镜(M1,M9,M10)的整体反射表面上确定的该照明光(3)的最大入射角与最小入射角之间的最大差异。
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