[发明专利]用于EUV投射光刻的投射光学单元

说明书

一种用于EUV投射光刻的投射光学单元(7)，具有用于以照明光(3)将物场(4)成像至像场(8)的多个反射镜(M1至M10)。反射镜中的至少一个反射镜(M1，M9，M10)实施为NI反射镜且反射镜中的至少一个反射镜(M2至M8)实施为GI反射镜。在垂直于入射平面(yz)的范围平面(xz)中的至少一个NI反射镜的反射镜尺寸Dx满足以下关系：4LLWx/IWPV_max＜Dx。在入射平面(yz)中的至少一个GI反射镜的反射镜尺寸Dy满足以下关系：4LLWy/(IWPV_max cos(a))＜Dy。在此处，LLWx及LLWy表示投射光学单元(7)在范围平面(xz)及在入射平面(yz)中的光展量，且IWPV_max表示在NI反射镜(M1，M9，M10)的反射表面上及在GI反射镜(M2至M8)的反射表面上的照明光(3)的最大入射角与最小入射角之间的最大差异。a表示在GI反射镜(M2至M8)的反射表面上的中心场点的主射线(16)的入射角。这产生了可优化的投射光学单元，特别是针对非常短的EUV照明光波长。

相关申请的交叉引用

通过引用将德国专利申请DE 10 2016 212 578.8的内容并入本文。

技术领域

本发明关于用于EUV投射光刻的投射光学单元。此外，本发明关于包含此投射光学单元的光学系统、包含此光学系统的投射曝光设备、用于使用此投射曝光设备制造微结构或纳米结构组件的方法以及由此方法所制造的微结构或纳米结构组件。

背景技术

一开始所提出的类型的投射光学单元已揭露于DE 10 2015 209 827 A1、DE 102012 212 753 A1、US 2010/0149509 A1及US 4,964,706中。

发明内容

本发明的目的为发展在一开始所提出的类型的投射光学单元，使得这产生可优化的投射光学单元，特别是针对非常短的EUV照明光波长。

根据本发明，此目的由具有以下特征的投射光学单元来实现。

一种用于EUV投射光刻的投射光学单元，

-包含用于以照明光将物场成像至像场的多个反射镜，

-其中该反射镜中的至少一个反射镜实施为NI反射镜并配置使得以中心场点的主射线的最大入射角撞击该NI反射镜的反射表面，该最大入射角小于45°，其中该主射线入射于该反射表面的射线部分及该主射线来自该反射表面的射线部分位于入射平面中，

-其中该至少一个NI反射镜在垂直于该入射平面的范围平面中的反射镜尺寸Dx满足以下关系：

4LLWx/IWPV_max＜Dx，

其中，以下适用：

-LLWx：该投射光学单元在该范围平面中的光展量；

-IWPV_max：分别于相同的位置且于该NI反射镜的整体反射表面上确定的该照明光的最大入射角与最小入射角之间的最大差异。

根据本发明所认识到的为，由于基本理论光学考虑，只要对投射光学单元的至少单独反射镜没有满足特定的尺寸关系，即使在非常短的EUV照明光波长的情况下，不可能实现允许反射涂层优化的投射光学单元的光学设计。特别地，在反射镜最小尺寸及反射镜上的照明光的入射角带宽之间确定关系。

针对NI反射镜所指定的尺寸关系提供了与由此反射镜所反射的照明光的入射平面垂直的NI反射镜尺寸的下限。只有使用满足这种关系的NI反射镜才可能找到允许此反射镜具有在非常短EUV波长下操作所需的反射效率的反射涂层的设计。针对至少一个NI反射镜，针对6.7nm的EUV使用波长，出现大于60％且特别是至少65％的反射率。特定尺寸关系可应用于投射光学单元的至少一个NI反射镜。特定尺寸关系也可应用于投射光学单元的多个NI反射镜、特别是所有NI反射镜。