[发明专利]光掩模、光掩模制造方法、以及使用光掩模的滤色器的制造方法在审
| 申请号： | 201780042752.6 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109690402A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 奥村哲人;宫地宏昭;山田雄大 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/70 | 分类号： | G03F1/70;G02B5/20;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该光掩模用于具有由多透镜构成的投影透镜的扫描方式的投影曝光，其中，在包含所述多透镜的连接部(36a)在内的通过扫描曝光进行转印的区域(SA2)存在的所述光掩模的多个图案(Cnn)的线宽，是针对与在不包含所述连接部(36a)在内的通过扫描曝光进行转印的区域(SA1)存在的所述光掩模的所述图案(Cnn)相同的图案的线宽进行校正后的线宽。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 线宽 扫描曝光 多透镜 图案 转印 光掩模制造 扫描方式 投影曝光 投影透镜 滤色器 校正 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，其用于具有由多透镜构成的投影透镜的扫描方式的投影曝光，其中，在包含所述多透镜的连接部在内的通过扫描曝光进行转印的区域存在的所述光掩模的多个图案的线宽，是针对与在不包含所述连接部在内的通过扫描曝光进行转印的区域存在的所述光掩模的所述图案相同的图案的线宽进行校正后的线宽。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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