[发明专利]包括掺杂的多晶陶瓷光学器件的量子存储器系统和量子中继器系统及其制造方法有效
| 申请号： | 201780042701.3 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN109415201B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | J·A·布朗;T·D·凯查姆;D·A·诺兰;W·塞钠拉特纳;J·杨;H·张 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/486 | 分类号： | C04B35/486 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永;钱慰民 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种量子存储器系统包括掺杂的多晶陶瓷光学器件、磁场生成单元和一个或多个泵浦激光器。当磁场生成单元生成磁场时，掺杂的多晶陶瓷光学器件定位于磁场生成单元的磁场内，该一个或多个泵浦激光器光学地耦合到掺杂的多晶陶瓷光学器件，并且掺杂的多晶陶瓷光学器件被掺杂有稀土元素掺杂剂，该稀土元素掺杂剂分布在掺杂的多晶陶瓷光学器件的晶格内，使得至少50％的稀土元素掺杂剂在远离晶格的晶界的位置处被掺杂到晶格的晶粒中。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 掺杂 多晶 陶瓷 光学 器件 量子 存储器 系统 中继 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子存储器系统，包括掺杂的多晶陶瓷光学器件、磁场生成单元和一个或多个泵浦激光器，其中：当所述磁场生成单元生成磁场时，所述掺杂的多晶陶瓷光学器件定位于所述磁场生成单元的磁场内；所述一个或多个泵浦激光器光学地耦合到所述掺杂的多晶陶瓷光学器件；以及所述掺杂的多晶陶瓷光学器件掺杂有稀土元素掺杂剂，所述稀土元素掺杂剂均匀地分布在所述掺杂的多晶陶瓷光学器件的晶格内。
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