[发明专利]关于全局过程变化、电压和温度的用于追踪SRAM存储器性能的裸片内专用振荡器有效
| 申请号： | 201780041271.3 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN109416671B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | P·T·玛法蒂亚;R·纳拉亚南;S-H·J·胡;陈南 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F1/3225;G06F1/324;G06F1/3296;G06F1/3234;G11C5/14;G11C7/04;G11C7/22;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种装置，包括存储器、被配置成模拟存储器的第一操作以激活存储器的第二操作的定时电路、被配置成模拟定时电路的一部分的传感器，以及被配置成基于模拟定时电路的一部分的传感器来调整存储器的操作参数的控制器。提出了一种方法。方法至少包括操作定时电路以模拟存储器的第一操作，基于模拟存储器的第一操作来激活存储器的第二操作，由传感器模拟定时电路的一部分。提出了另一种装置。该装置至少包括存储器、定时电路，以及用于基于追踪存储器操作的定时电路来追踪存储器性能的部件。 | ||
| 搜索关键词： | 关于 全局 过程 变化 电压 温度 用于 追踪 sram 存储器 性能 裸片内 专用 振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：存储器；定时电路，被配置成模拟所述存储器的第一操作以激活所述存储器的第二操作；传感器，被配置成模拟所述定时电路的一部分；和控制器，被配置成基于模拟定时电路的所述一部分的所述传感器来调整所述存储器的操作参数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780041271.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
