[发明专利]含有聚二甲基硅氧烷的粘接剂有效
申请号: | 201780038781.5 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN109417026B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 荻野浩司;榎本智之;新城彻也;泽田和宏;森谷俊介 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C09J5/06;C09J11/06;C09J183/04;C09J183/05 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 曾祯;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明的课题是提供在晶片的背面研磨后可以容易地剥离,耐热性、洗涤除去性容易的粘接剂。解决手段是一种粘接剂,是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接从而对晶片的背面进行加工的粘接剂,通过从支持体侧或晶片侧进行加热而该粘接剂固化,从而能够选择粘接层的剥离时的剥离面。上述粘接剂包含:通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含聚二甲基硅氧烷的成分(B)。成分(B)为具有1100mm |
||
搜索关键词: | 含有 聚二甲基硅氧烷 粘接剂 | ||
【主权项】:
1.一种粘接剂,是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接从而对晶片的背面进行加工的粘接剂,通过在该粘接剂固化时从支持体侧进行加热或从晶片侧进行加热,能够控制剥离时的剥离面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学株式会社,未经日产化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780038781.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造