[发明专利]磁随机存取存储器位单元中的高纵横比垂直互连存取互连

摘要

公开了磁随机存取存储器(MRAM)位单元中的高纵横比垂直互连接入(通孔)互连。在一个方面，示例性MRAM位单元包括在其中互连存取晶体管和磁隧道结(MTJ)的耦合列。耦合列跨多个互连层而设置。在一个方面，耦合列包括高纵横比通孔。在另一方面，高纵横比通孔直接连接在耦合到存取晶体管的漏极的漏极接触件与MTJ的端电极之间使得在耦合列中不提供互连线和/或互连岛。在某些方面，耦合列可以设置在互连线与相邻的互连线之间而不增加现有的互连线节距，从而允许MRAM位单元节距的减小。

主权项

1.一种磁随机存取存储器(MRAM)位单元，包括：衬底；有源半导体层，设置在所述衬底上方，所述有源半导体层包括存取晶体管，所述存取晶体管包括栅极、源极和漏极；源极接触件，耦合到所述存取晶体管的所述源极；漏极接触件，耦合到所述存取晶体管的所述漏极；介电层，包括设置在所述有源半导体层上方的多个互连层，每个互连层包括至少一个互连线；源极线，包括所述多个互连层中的第一互连层的互连线，所述源极线耦合到所述源极接触件；以及磁隧道结(MTJ)耦合列，跨所述多个互连层中的、在所述漏极接触件与MTJ之间的至少两个互连层而被设置，所述MTJ耦合列包括垂直互连接入(通孔)，所述垂直互连接入(通孔)将所述MTJ的第一端电极耦合到所述漏极接触件而没有耦合到所述至少两个互连层中的任何互连线；所述MTJ，包括设置在所述第一端电极与第二端电极之间的隧道结；以及位线，包括所述多个互连层中的第二互连层的互连线，所述位线耦合到所述MTJ的所述第二端电极。