[发明专利]用于有机空穴导体的p型掺杂的交联的p型掺杂剂

摘要

本发明涉及一种用于通过官能化的p型掺杂剂反应来制备交联的空穴导电层的方法，其中官能化的p型掺杂剂是有机金属络合物，所述有机金属络合物包括至少一个中心原子和有机配体，其中所述中心原子选自元素周期表的第6至第15族的金属并且所述有机配体中的至少一个选自下列式I至式V，其中E彼此独立地为氧、硫、硒或N(E1)x并且每个Rv分别具有至少一个进行官能化的残基或由这些残基构成，所述残基选自组RF，其包括‑OH、‑COOH、‑NH2、‑NHR’、卤素、C2‑C40烯基、‑二烯基、‑炔基、‑链烯氧基、‑二烯氧基、‑炔氧基、丙烯酸、氧杂环丁烷、环氧乙烷、硅烷、丙烯酸、酐和环丁烷，G＝C(RF)uHvFw，其中u+v+w＝3并且n＝1至4。

主权项

1.一种用于通过官能化的p型掺杂剂反应来制备交联的空穴导电层的方法，其中所述官能化的p型掺杂剂是有机金属络合物，所述有机金属络合物包括至少一个中心原子和有机配体，其中所述中心原子选自元素周期表的第6至第15族的金属并且所述有机配体中的至少一个有机配体选自下列式I至式V：其中E彼此独立地为氧、硫、硒或N(E₁)_x，其中E₁彼此独立地选自：H、D、取代的或未取代的烷基或芳基，并且x＝0、1或2；R彼此独立地为H、D、F、C1‑C20的支链的和非支链的取代的或未取代的烷基或芳基；R_v分别彼此独立地选自：取代的或未取代的芳基、烷基、烷氧基、环烷基、亚芳基、卤代芳基、杂芳基、杂亚芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮基杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基，和‑每个R_v分别具有至少一个进行官能化的残基或由这些残基构成，所述残基选自组R_F，其包括‑OH、‑COOH、‑NH₂、‑NHR’、卤素、C2‑C40的烯基、‑二烯基、‑炔基、‑链烯氧基、‑二烯氧基、‑炔氧基、丙烯酸、氧杂环丁烷、环氧乙烷、硅烷、丙烯酸、酐和环丁烷；其中R’是C1‑C20的支链的、非支链的、取代的和未取代的烷基和芳基；‑G＝‑C(R_F)_uH_vF_w，其中u+v+w＝3；‑并且n＝1至4。