[发明专利]隧道磁阻元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201780037564.4 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109314181B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 安藤康夫;大兼干彦;藤原耕辅;城野纯一;土田匡章 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;柯尼卡美能达株式会社;旋转感应制造厂株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01F41/18;H01F41/22;H01L43/10;H01L43/12;H01F10/12;H01F10/13 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 曲天佐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明改进隧道磁阻元件的自由磁性层的结构，且实现线性度较高的磁阻特性。在从靠近基板(2)的一侧，按照固定磁性层(10)、绝缘层(20)、自由磁性层(30)的顺序层叠，自由磁性层具有：下表面与绝缘层接合的铁磁层(31)、以及与该铁磁层的上表面接触并层叠的软磁层(33)。构成自由磁性层的铁磁层及软磁层的易磁化轴(A2)为彼此相同的方向且相对于固定磁性层的易磁化轴(A1)为不同的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 磁阻 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隧道磁阻元件，其通过磁化方向被固定的固定磁性层、受到外部磁场的影响磁化方向发生变化的自由磁性层以及在所述固定磁性层和所述自由磁性层之间配置的绝缘层形成磁性隧道结，与所述固定磁性层的磁化方向与所述自由磁性层的磁化方向之间的角度差相应地，利用隧道效应使绝缘层电阻发生变化，所述隧道磁阻元件的特征在于，在从靠近支承所述磁性层以及绝缘层的基板的一侧，按照所述固定磁性层、所述绝缘层、所述自由磁性层的顺序层叠，所述自由磁性层具有：下表面与所述绝缘层接合的铁磁层、以及与该铁磁层的上表面接触并层叠的软磁层。
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