[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201780037125.3 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109314156B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 吴政勋 | 申请（专利权）人： | 苏州乐琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 在实施例中公开一种半导体器件，包括：衬底；第一和第二半导体层，其被排列在衬底上并且具有不同的导电类型；第三半导体层，其被排列在第一半导体层和第二半导体层之间；第一电极，其被排列在第一半导体层上以便被电连接到第一半导体层；第二电极，其被排列在第二半导体层上以便被电连接到第二半导体层；以及第一绝缘层，其在暴露的第一、第二和第三半导体层上被排列在第一电极和第二电极之间，其中在第一电极的两个端部之中的靠近第二电极的第一端部和/或作为第二电极的两个端部的第二端部具有电场分散部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层被布置在所述衬底上并且具有不同导电类型；第三半导体层，所述第三半导体层被布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；第一电极，所述第一电极被布置在所述第一半导体层上并且被电连接到所述第一半导体层；第二电极，所述第二电极被布置在所述第二半导体层上并且被电连接到所述第二半导体层；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层上，其中，靠近所述第二电极的所述第一电极的两个端部之中的第一端部和所述第二电极的两个端部之中的第二端部中的至少一个具有电场分散部。
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