[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层被布置在所述衬底上并且具有不同导电类型；

第三半导体层，所述第三半导体层被布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；

第一电极，所述第一电极被布置在所述第一半导体层上并且被电连接到所述第一半导体层；

第二电极，所述第二电极被布置在所述第二半导体层上并且被电连接到所述第二半导体层；以及

第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层上，

第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在至少一个腔体内，

其中，靠近所述第二电极的所述第一电极的两个端部之中的第一端部和所述第二电极的两个端部之中的第二端部中的至少一个具有电场分散部，

其中，所述电场分散部包括与所述第一半导体层或所述第二半导体层接触的所述至少一个腔体。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

从与所述第一半导体层接触的所述至少一个腔体到所述第一端部的边缘的第一距离短于从与所述第一半导体层接触的所述至少一个腔体到所述第一电极的中心的第二距离；以及

从与所述第二半导体层接触的所述至少一个腔体到所述第二端部的边缘的第三距离短于从与所述第二半导体层接触的所述至少一个腔体到所述第二电极的中心的第四距离。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述至少一个腔体包括多个腔体；以及

所述多个腔体的宽度或深度和分离距离之中的一个或多个相互不同，所述多个腔体通过所述分离距离被彼此分开。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电场分散部包括至少一个突起，所述至少一个突起朝向所述第一半导体层或所述第二半导体层突出；

从朝向所述第一半导体层突出的所述至少一个突起到所述第一端部的边缘的第五距离短于从朝向所述第一半导体层突出的所述至少一个突起到所述第一电极的中心的第六距离；以及

从朝向所述第二半导体层突出的所述至少一个突起到所述第二端部的边缘的第七距离短于从朝向所述第二半导体层突出的所述至少一个突起到所述第二电极的中心的第八距离。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述至少一个突起包括多个突起；以及

所述多个突起的宽度或深度和分离距离之中的一个或多个相互不同，所述多个突起通过分离距离被彼此分开。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

在所述第二端部中包括的所述电场分散部具有与所述第一电极和所述第一绝缘层之间的第一界面隔开第九距离的边缘并且在垂直方向中与所述第一绝缘层和所述第一半导体层重叠；以及

在所述第一端部中包括的所述电场分散部具有与所述第一绝缘层和所述第二电极之间的第二界面隔开第十距离的边缘，并且在所述垂直方向中与所述第一绝缘层和所述第一至第三半导体层重叠。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述第一端部和所述第二端部被布置为在所述第一半导体层上相互面对；以及

所述第一端部和所述第二端部被布置为在所述第二半导体层上相互面对。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一电极包括：

第一欧姆层，所述第一欧姆层被布置在所述第一半导体层上；以及

第一金属层，所述第一金属层被布置在所述第一欧姆层上，

其中，所述第一欧姆层和所述第一金属层被一体化；以及

所述第二电极包括：

第二欧姆层，所述第二欧姆层被布置在所述第二半导体层上；以及

第二金属层，所述第二金属层被布置在所述第二欧姆层上，

其中，所述第二欧姆层和所述第二金属层被一体化。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘层包括在所述第一半导体层上布置的第一绝缘部、在所述第二半导体层上布置的第二绝缘部、以及在所述第一绝缘部和所述第二绝缘部之间布置的所述第一至第三半导体层的侧部处的第三绝缘部之中的至少一个。