[发明专利]用于光学检测至少一个对象的检测器在审
申请号: | 201780034397.8 | 申请日: | 2017-04-03 |
公开(公告)号: | CN109219891A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | R·森德;I·布鲁德;C·朗根施密德;W·赫尔梅斯;S·瓦鲁施 | 申请(专利权)人: | 特里纳米克斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/101;H01L31/105;G01S17/46;G01S7/481 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 姜利芳;杨晓光 |
地址: | 德国莱茵河*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 公开了一种用于确定至少一个对象的位置,特别用于3D感测概念的检测器。该检测器包括:纵向光学传感器(110),用于通过从对象行进到检测器的光束确定对象的纵向位置;以及横向光学传感器(112),其可设计为成像装置或位置敏感检测器。纵向光学传感器(110)具有至少两个PN结构或PIN结构(138,140)。PN结构或PIN结构中的每一个结构位于两个电极层(144)之间,从而形成各自具有纵向传感器区域(148)的光电二极管(146)。给定相同的照射总功率,来自光电二极管(146)的纵向传感器信号取决于纵向传感器区域(148)中光束的束横截面。作为替代,并非横向光学传感器(112),纵向光学传感器(110)的光电二极管(146)可以适于各自作为一维位置敏感检测器来操作,用于分别确定横向x坐标和横向y坐标。 | ||
搜索关键词: | 检测器 光电二极管 光学传感器 纵向传感器 位置敏感检测器 横向光学 传感器 成像装置 光学检测 纵向位置 电极层 总功率 感测 照射 行进 替代 | ||
【主权项】:
1.一种用于确定至少一个对象(156)的位置的检测器(114),所述检测器(114)包括:‑至少一个纵向光学传感器(110),用于确定从所述对象(156)行进到所述检测器(114)的至少一个光束(142)的纵向位置,所述纵向光学传感器(110)具有层设置(116),其中所述纵向光学传感器(110)包括至少两个p型半导体层(124)、至少两个n型半导体层(130)和至少三个独立的电极层(144),其中所述p型半导体层(124)和所述n型半导体层(130)形成至少两个独立的PN结构,其中所述PN结构中的每个PN结构位于所述电极层(144)中的至少两个电极层之间,从而形成至少两个光电二极管(146),其中,所述两个光电二极管(146)中的每个光电二极管具有至少一个纵向传感器区域(148),其中所述纵向光学传感器(110)被设计为以取决于由所述光束(142)对所述纵向传感器区域(148)的照射的方式生成至少两个纵向传感器信号,其中给定相同的所述照射的总功率,所述纵向传感器信号取决于所述纵向传感器区域(148)中所述光束(142)的束横截面;以及‑至少一个评估装置(154),其中所述评估装置(154)被配置为通过评估所述纵向传感器信号来确定所述对象(156)的至少一个纵向坐标。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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