[发明专利]包括环绕触点的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201780033184.3 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109314144B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | N·J·劳贝特;M·桂尔洛恩 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成环绕触点的方法，包括在多个鳍结构上形成多个半导体层，在所述多个半导体层上形成牺牲栅极，在所述多个鳍结构上和所述多个半导体层的侧壁上形成外延层，通过用金属层替换所述牺牲栅极和所述多个半导体层形成栅极结构，以及在所述外延层上形成环绕触点。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 环绕 触点 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成环绕触点的方法，包括：在多个鳍结构上形成多个半导体层；在多个半导体层上形成牺牲栅极；在所述多个鳍结构上和所述多个半导体层的侧壁上形成外延层；通过用金属层代替牺牲栅极和多个半导体层来形成栅极结构；和在外延层上形成环绕触点。
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