[发明专利]包括环绕触点的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成环绕触点的方法，包括：

在多个鳍结构上形成多个半导体层；

在多个半导体层上形成牺牲栅极；

在所述多个鳍结构上和所述多个半导体层的侧壁上形成外延层,其中所述形成外延层包括形成共形高掺杂外延膜；

通过用金属层代替牺牲栅极和多个半导体层来形成栅极结构；和

在外延层上形成环绕触点。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述多个鳍结构之间形成多个浅沟槽隔离STI区，所述环绕触点形成在所述STI区上。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述形成栅极结构包括形成多个栅极结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述栅极结构包括在所述金属层的一侧上形成的间隔物，并且所述形成环绕触点包括在所述间隔物上和所述多个栅极结构的外延层上形成所述环绕触点。

5.根据前述权利要求1或2所述的方法，其中，所述形成环绕触点包括：

形成共形金属衬垫层；和

在所述金属衬垫层上形成阻挡层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述形成环绕触点包括：

退火所述金属衬垫层以形成金属硅化物层，所述环绕触点包括所述金属硅化物层和所述阻挡层。

7.如权利要求6所述的方法，还包括：

在所述阻挡层上形成金属填充层。

8.如前述权利要求1或2所述的方法，还包括：

在所述外延层上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成衬垫层；

在所述衬垫层上形成氧化层；和

抛光所述氧化层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述牺牲层包括锗，所述衬垫层包括氮化硅，所述氧化层包括二氧化钛-二氧化硅。

10.如前述权利要求1或2所述的方法，还包括：

与多个半导体层交替地形成多个其它半导体层。

11.如权利要求10所述的方法，其中与多个半导体层交替地形成多个其它半导体层包括：

进行蚀刻以去除所述牺牲栅极并从所述其它半导体层之间去除半导体层。

12.根据前述权利要求1或2所述的方法，其中在所述多个鳍结构上和所述多个半导体层的侧壁上形成外延层的步骤包括在所述多个鳍结构上和所述多个半导体层的侧壁上形成刻面外延层的步骤；和

在外延层上形成环绕触点的步骤包括在所述刻面外延层上形成环绕触点。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述形成栅极结构包括形成多个栅极结构，其中所述栅极结构包括在所述金属层的一侧上形成的间隔物，并且其中所述形成环绕触点包括在间隔物上和多个栅极结构之间的刻面外延层上形成环绕触点。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述形成刻面外延层包括形成共形高掺杂刻面外延膜。

15.如权利要求13所述的方法，还包括：

在所述刻面外延层上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成衬垫层；

在所述衬垫层上形成氧化层；和

抛光所述氧化层。