[发明专利]等离子体生成装置、衬底处理装置及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201780031471.0 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109314054A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 佐藤明博;竹田刚;广地志有 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/509;H01L21/318;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够均匀地处理衬底的技术。提供等离子体生成装置及使用其的技术，所述等离子体生成装置具有连接于高频电源的第1电极和接地的第2电极，上述第1电极与上述第2电极以合计为3根以上的奇数根交替配置，上述第1电极与上述第2电极中的任一者的电极相对于相邻的另两根电极而被共用。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 等离子体生成装置 衬底处理装置 半导体器件 高频电源 交替配置 接地 奇数根 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.等离子体生成装置，其具有连接于高频电源的第1电极、和接地的第2电极，所述第1电极与所述第2电极以合计为3根以上的奇数根交替配置，所述第1电极与所述第2电极中的任一者的电极相对于相邻的另两根电极而被共用。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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