[发明专利]多层光子结构在审
| 申请号： | 201780030077.5 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN109478602A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 萨瑟兰德·库克·埃尔伍德 | 申请（专利权）人： | 萨瑟兰德·库克·埃尔伍德 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 英国切尔滕纳姆市阿尔*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于改善光子器件的VLSI的系统和方法，例如通过改进的体积填充密度来保持和/或增强光子操作和功能。光学通孔分布在多层光子器件中。这些光学通孔与不同类型的路径光学器件光学通信，以允许光子信息被分布在各层上的光子处理元件访问，处理和传输。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 光学通孔 光子器件 多层 光学器件光学 处理元件 光子结构 体积填充 传输 通信 改进 访问 | ||
【主权项】：
1.一种多层光子结构，包括：基底；以及N个层，堆叠在所述基底上，N>1，；其中每个所述层包括设置在间隔材料中的光子元件组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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